LG решила присоединиться к бурно растущему рынку компонентов для систем искусственного интеллекта. Это решение в LG приняли на фоне доминирования SK Hynix (она в одиночку занимает около половины рынка) и Samsung на рынке памяти типа HBM (High-Bandwidth Memory). Компания планирует стать поставщиком оборудования для производства этой памяти.
Согласно информации от SEDaily, исследовательский институт LG уже приступил к разработке оборудования для формирования гибридных соединений, такое оборудование используется для производства микросхем памяти HBM новых поколений. Ожидается, что работы по его созданию будут завершены к 2028 году. Технология гибридного соединения позволяет создавать многослойные микросхемы, обеспечивая высокую емкость при относительно небольшой высоте, это ключевое требование для современных чипов HBM. Также этот метод способствует снижению тепловыделения и повышению общей производительности памяти.
Больше статей и видео в нашем Дзен-канале
Новая технология, которой занимается LG, найдет применение при производстве HBM с 12-ю слоями и более. Напомним, что SK Hynix и Samsung уже работают над 16-слойной HBM, и им будут потенциально интересны разработки LG Electronics. При этом на рынке оборудования для производства памяти, фактически, дуополия – его занимают BESI из Нидерландов и американской Applied Materials. Если LG сможет создать конкурентоспособное решение, она будет претендовать на значительную часть рынка, в том числе – за счет местных производителей памяти (они же – самые крупные в мире, то есть Hynix и Samsung). Это также снизит зависимость южнокорейских компаний от иностранных поставщиков.
К 2028 году SK Hynix планирует начать выпуск памяти HBM4E, а Samsung — приступить к опытному производству HBM4. Учитывая столь амбициозные планы лидеров отрасли, конкуренция в области производства оборудования обещает быть ожесточенной.
